SanDisk představil NAND paměť s dvojnásobnou kapacitou oproti současným řešením

Spolupráce společností SanDisk a Toshiba přinesla nový typ 3D flashové paměti, která má dosahovat dvojnásobné kapacitě oproti současným modelům. Na trhu se má objevit v roce 2016.

SanDisk představil NAND paměť s dvojnásobnou kapacitou oproti současným řešením



V loni oznámená spolupráce společností SanDisk a Toshiba přinesla první ovoce. SanDisk oznámil, že ve spolupráci se svým partnerem začal vyrábět zkušební sérii flashových čipů, které mají nabídnout dvojnásobně vyšší kapacitu než jakou nabízí jakékoliv v současnosti dostupné provedení.

Nové 256gigabitové NAND čipy se vyznačují trojrozměrným provedením (tranzistory jsou umístěny ve vrstvách nad sebou, v tomto případě ve čtyřiceti osmi) a technologií X3 (kapacita tří bitů na jeden tranzistor oproti dřívějším dvěma bitům). Paměti podle SanDisku nabídnou až 1TB kapacitu.

Pamětí mají najít uplatnění v široké škále zařízení a řešení, a to jak spotřebitelských, tak podnikových přičemž by se měly dostat na trh někdy během roku 2016. Podobnou technologii 3D flashových pamětí v současnosti nabízí Samsung (pod názvem V-NAND).

Zdroj: IDG News Service









Úvodní foto: © Gordon Bussiek - Fotolia.com

Komentáře