Společnosti Toshiba a SanDisk oznámily, že budou spolupracovat na vývoji trojrozměrných flashových NAND čipů, jejichž prostřednictvím chtějí navýšit hustotu a výkon SSD úložišť. Na rozdíl od plochých NAND čipů jsou zde flashové wafery vrstveny na sebe do trojrozměrné struktury.
Toshiba chce za tímto účelem zdemolovat své výrobní zařízení Fab 2 v Japonsku a na stejném místě, s investicí ze strany SanDisku, postavit novou továrnu. Samotná výroba by měla začít v roce 2016.
Prvním výrobcem zmíněné technologie je Samsung, který uvedl svůj V-NAND čip v roce 2013 a použil jej ve vestavěných NAND pamětích i v SSD discích.
Toshiba neuvedla žádná konkrétní čísla týkající se kapacity nebo objemu výroby, uvedla však, že bude „odpovídat trendům na trhu“.
Zdroj: IDG News Service
