Toshiba a SanDisk spolu budou vyvíjet 3D flashové čipy

Výroba poběží v nově postavením zařízení a její spuštění je plánováno na rok 2016.

Toshiba a SanDisk spolu budou vyvíjet 3D flashové čipy



Společnosti Toshiba a SanDisk oznámily, že budou spolupracovat na vývoji trojrozměrných flashových NAND čipů, jejichž prostřednictvím chtějí navýšit hustotu a výkon SSD úložišť. Na rozdíl od plochých NAND čipů jsou zde flashové wafery vrstveny na sebe do trojrozměrné struktury.

Toshiba chce za tímto účelem zdemolovat své výrobní zařízení Fab 2 v Japonsku a na stejném místě, s investicí ze strany SanDisku, postavit novou továrnu. Samotná výroba by měla začít v roce 2016.

Prvním výrobcem zmíněné technologie je Samsung, který uvedl svůj V-NAND čip v roce 2013 a použil jej ve vestavěných NAND pamětích i v SSD discích.

Toshiba neuvedla žádná konkrétní čísla týkající se kapacity nebo objemu výroby, uvedla však, že bude „odpovídat trendům na trhu“.

Zdroj: IDG News Service








Úvodní foto: © Gordon Bussiek - Fotolia.com

Komentáře